碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓的晶格失配小，SiC单晶是氮化镓基LED、肖特基二极管等器件的理想衬底材料。为降低器件成本，下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求，目前国际市场上已有6英寸产品，预计市场份额将逐年增大。
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)先进材料与结构分析实验室陈小龙研究组长期从事SiC单晶生长研究工作，团队人员通过自主创新和探索，获得了SiC单晶生长设备、晶体生长和加工技术等一整套自主知识产权。
2014年11月，团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，研制出了6英寸SiC单晶衬底。拉曼光谱测试表明生长出的SiC晶体为4H晶型。这一成果标志着物理所的SiC单晶生长研发工作已达到国际先进水平。6英寸SiC单晶衬底的研发成功，为高性能 SiC基电子器件的国产化提供了材料基础。